Кристали AgGaSe2 — краї смуг на 0,73 та 18 мкм
Опис продукту
При накачуванні лазером Ho:YLF на довжині хвилі 2,05 мкм було отримано налаштування в межах 2,5–12 мкм; а також некритичне фазове узгодження (NCPM) в межах 1,9–5,5 мкм при накачуванні на довжині хвилі 1,4–1,55 мкм. Було продемонстровано, що AgGaSe2 (AgGaSe) є ефективним кристалом подвоєння частоти для випромінювання інфрачервоних CO2-лазерів.
Працюючи в поєднанні з комерційно доступними синхронно накачуваними оптичними параметричними осциляторами (SPOPO) у фемтосекундному та пікосекундному режимах, кристали AgGaSe2 продемонстрували свою ефективність у нелінійному параметричному перетворенні на низьку частоту (генерація різницевої частоти, DGF) у середньому інфрачервоному діапазоні. Нелінійний кристал AgGaSe2 у середньому інфрачервоному діапазоні має один з найбільших показників добротності (70 пм²/V²) серед комерційно доступних кристалів, що в шість разів більше, ніж у еквівалента AGS. AgGaSe2 також кращий за інші кристали у середньому інфрачервоному діапазоні з низки конкретних причин. AgGaSe2, наприклад, має менший просторовий зсув і менш доступний для обробки для конкретних застосувань (наприклад, для росту та напрямку різання), хоча має більшу нелінійність та еквівалентну площу прозорості.
Застосування
● Генерація других гармонік на CO та CO2-лазерах
● Оптичний параметричний осцилятор
● Генератор різних частот для середнього інфрачервоного діапазону до 17 мкм.
● Змішування частот у середньому ІЧ-діапазоні
Основні властивості
Кристалічна структура | Тетрагональний |
Параметри комірки | a=5,992 Å, c=10,886 Å |
Температура плавлення | 851 °C |
Щільність | 5,700 г/см3 |
Твердість за шкалою Мооса | 3-3,5 |
Коефіцієнт поглинання | <0,05 см-1 при 1,064 мкм <0,02 см-1 при 10,6 мкм |
Відносна діелектрична проникність @ 25 МГц | ε11s=10,5 ε11t=12,0 |
Теплове розширення Коефіцієнт | ||C: -8,1 x 10⁻⁶ /°C ⊥C: +19,8 x 10⁻⁶ /°C |
Теплопровідність | 1,0 Вт/м²/°C |