-
Фотодетектор для лазерного вимірювання дальності та швидкості
Спектральний діапазон матеріалу InGaAs становить 900-1700 нм, а шум розмноження нижчий, ніж у матеріалу германію. Він зазвичай використовується як область розмноження для гетероструктурних діодів. Цей матеріал підходить для високошвидкісного оптоволоконного зв’язку, а комерційні продукти досягли швидкості 10 Гбіт/с або вище.
Продукти
Si&InGaAs, PIN&APD, Довжина хвилі: 400-1100 нм, 900-1700 нм. (Підходить для лазерного вимірювання дальності, вимірювання швидкості, вимірювання кута, фотоелектричного виявлення та систем фотоелектричної протидії.)