Nd:YVO4 – Твердотільні лазери з діодною накачкою

Короткий опис:

Nd:YVO4 є одним із найефективніших лазерних головних кристалів, які існують на даний момент для твердотільних лазерів з діодним лазерним накачуванням.Nd:YVO4 — чудовий кристал для високопотужних, стабільних і економічно ефективних твердотільних лазерів з діодною накачкою.

Запит зараз Надішліть нам електронний лист

Деталі продукту

Теги товарів

Опис продукту

Nd:YVO4 може виробляти потужні та стабільні інфрачервоні, зелені, сині лазери з конструкцією Nd:YVO4 та кристалами подвоєння частоти.Для додатків, у яких потрібен більш компактний дизайн і одномодовий поздовжній вихід, Nd:YVO4 демонструє свої особливі переваги перед іншими широко використовуваними лазерними кристалами.

Переваги Nd: YVO4

● Низький поріг генерації та висока ефективність нахилу
● Великий поперечний переріз вимушеного випромінювання на довжині хвилі генерації
● Високе поглинання в широкому діапазоні хвиль накачування
● Оптично одноосьове та велике двопроменезаломлення випромінює поляризований лазер
● Низька залежність від довжини хвилі накачування та тенденція до одномодового виходу

Основні властивості

Атомна густина	~1,37x1020 атомів/см2
Кристалічна структура	Тетрагональний циркон, просторова група D4h, a=b=7,118, c=6,293
Щільність	4,22 г/см2
Твердість за Моосом	Склоподібний, 4,6 ~ 5
Теплове розширення Коефіцієнт	αa=4,43x10-6/K,αc=11,37x10-6/K
Точка плавлення	1810 ± 25 ℃
Довжини хвиль генерації	914 нм, 1064 нм, 1342 нм
Термооптичний Коефіцієнт	dna/dT=8,5x10-6/K, dnc/dT=3,0x10-6/K
Вимушене випромінювання Поперечний переріз	25,0x10-19 см2, @1064 нм
Люмінесцентний Час життя	90 мс (приблизно 50 мс для 2 атм.% Nd) @ 808 нм
Коефіцієнт поглинання	31,4 см-1 при 808 нм
Довжина поглинання	0,32 мм при 808 нм
Внутрішня втрата	Менше 0,1% см-1, @1064 нм
Збільшити пропускну здатність	0,96 нм (257 ГГц) @ 1064 нм
Поляризований лазер емісія	паралельно оптичній осі (вісь c)
Діодна накачка Оптичний до оптичного Ефективність	> 60%
Рівняння Зелмайєра (для чистих кристалів YVO4)	no2(λ) =3,77834+0,069736/(λ2 - 0,04724) - 0,0108133λ2
	no2(λ) =4,59905+0,110534/(λ2 - 0,04813) - 0,0122676λ2

Технічні параметри

Концентрація допанту Nd	0,2 ~ 3 атм%
Толерантність до допантів	в межах 10% від концентрації
Довжина	0,02 ~ 20 мм
Специфікація покриття	AR @ 1064 нм, R < 0,1% & HT @ 808 нм, T> 95%
	HR @ 1064 нм, R>99,8% & HT@ 808 нм, T>9%
	HR при 1064 нм, R>99,8%, HR при 532 нм, R>99% і HT при 808 нм, T>95%
Орієнтація	a-cut кристалічний напрям (+/-5 ℃)
Допуск на розміри	+/-0,1 мм (типовий), Висока точність +/-0,005 мм доступна за запитом.
Спотворення хвильового фронту	<λ/8 при 633 нм
Якість поверхні	Краще, ніж 20/10 Scratch/Dig відповідно до MIL-O-1380A
Паралелізм	< 10 кутових секунд